ФОРМИРОВАНИЕ ЗАЩИТНОЙ УГЛЕРОДНОЙ ПЛЕНКИ НА ПО-ВЕРХНОСТИ ГРАФЕНА МЕТОДОМ ПЛАЗМЕННОГО ОСАЖДЕНИЯ И ТЕРМООБРАБОТКИ
Предложена методика формирования защитного углеродного слоя для графеновых пленок на основе двухстадийного процесса, включающего осаждение атомов углерода в плазме метана и термообработку. Для осаждения атомов углерода использован радиочастотный индуктивно связанный источник плазмы мощностью 200 Вт...
Saved in:
| Main Authors: | , , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Алтайский государственный технический университет им. И.И. Ползунова
2025-04-01
|
| Series: | Ползуновский вестник |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://ojs.altstu.ru/index.php/PolzVest/article/view/770 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Summary: | Предложена методика формирования защитного углеродного слоя для графеновых пленок на основе двухстадийного процесса, включающего осаждение атомов углерода в плазме метана и термообработку. Для осаждения атомов углерода использован радиочастотный индуктивно связанный источник плазмы мощностью 200 Вт. Длительность процесса осаждения в плазме метана составляло от 3 до 6 мин. Термообработки проведены в атмосфере инертного газа при температурах от 750 оС до 800 оС длительностью до 25 мин. Для характеризации поверхности использованы методы атомной силовой микроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния света. Исследования методом атомно-силовой микроскопии показали, что предложенная методика позволяет успешно формировать углеродные пленки толщиной несколько десятков нанометров на поверхности исходной графеновой пленки, полученной методом газофазового осаждения. После травления в плазме кислорода мощностью 200 Вт и длительностью до 30 с синтезированнной структуры формируются пленки нанометровых толщин с шероховатостью поверхности около 0,5 нм. Наблюдаемые в исходной графеновой пленке складки высотой от единиц до десятков нанометров на поверхности сформированных образцов не обнаружены. Из анализа спектров комбинационного рассеяния света следует, что после травления в плазме кислорода синтезированных структур до исходных толщин графеновых пленок имеет место восстановление основных графеновых G- и 2D-пиков в спектрах. Можно отметить некоторое возрастание интегральной интенсивности D-полосы, обусловленной наличием дефектов и нарушений в кристаллической решетке, которое частично может быть устранено термической обработкой.
|
|---|---|
| ISSN: | 2072-8921 3034-3941 |