Лазерно-стимульовані процеси в напівпровідниках
Представлено результати оптичних досліджень спектрів відбиття монокристалів n-Si(100) в діапазоні 0.2–1.7 мкм до та після лазерного опромінення в інтервалі енергій 66–108 мДж/см2. Експериментально показано збільшення відбиваючої здатності досліджуваних кристалів при такій лазерній обробці. Розглянут...
Saved in:
| Main Authors: | , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Chuiko Institute of Surface Chemistry of NAS of Ukraine
2016-05-01
|
| Series: | Хімія, фізика та технологія поверхні |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/378 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|