Au/P3HT:PCBM/n-Si Schottky Bariyer Diyotlarda PCBM Konsantrasyonunun Kapasitans-Voltaj (C-V) ve İletkenlik-Voltaj (G/w-V) Karakteristiklerine Etkisi ve Dielektrik Özelliklerin İncelemesi

Au/P3HT:PCBM/n-Si Schottky Bariyer Diyotlarda PCBM Konsantrasyonunun Kapasitans-Voltaj (C-V) ve İletkenlik-Voltaj (G/w-V) Karakteristiklerine Etkisi ve Dielektrik Özelliklerin İncelemesi

Show other versions (2)

Bu çalışmada, farklı P3HT:PCBM katkı oranları (4:1 ve 10:1) kullanılarak hazırlanan altın/poly(3-hexylthiophene):[6,6]-phenyl C61 butyric acid methyl ester/n-tipi silisyum (Au/P3HT:PCBM/n-Si) metal–polimer–yarıiletken (MPY) Schottky bariyer diyotların (SBD) kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-volt...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Hüseyin Muzaffer ŞAĞBAN, Serpil KARASU, Aynur ÖZTÜRK, Özge TÜZÜN ÖZMEN
Format: Article
Language:English
Published: Düzce University 2016-01-01
Series:Düzce Üniversitesi Bilim ve Teknoloji Dergisi
Online Access:https://dergipark.org.tr/tr/pub/dubited/issue/24381/258448?publisher=duzce
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!

Similar Items

Similar Items