Tecnología de fabricación de detector de Silicio-Litio con juntura superficial - Ana Ester Cabal-Rodríguez; Angelina Díaz-García; C. Noriega-Scull (Tecnología en Marcha)
Los sensores de radiaciones nucleares con base en Silicio, transforman la carga producida dentro de este semiconductor, producto de la incidencia de partículas y rayos X, en pulsos de voltaje a la salida del preamplificador. El detector planar de Silicio-Litio con juntura superficial es básicamente un diodo de estructura PIN. Por medio de la difusión y deriva del Litio en el Silicio, se crea la zona compensada, donde interactúan las radiaciones incidentes, produciendo una señal eléctrica proporcional a la energía depositada en el detector. El proceso tecnológico comprende diferentes etapas, algunas de ellas complejas y de larga duración, las cuales exigen además un control sistemático.