Термическая и лазерная кристаллизация тонких пленок InSe, сформированных методом вакуумно-термического испарения - Мария Евгеньевна Федянина; Виктория Борисовна Пестова; Дмитрий Валерьевич Пепеляев; Яна Сергеевна Лебедева; Алексей Вальтерович Бабич; Михаил Петрович Смаев; Алексей Валентинович Ромашкин; Сергей Иванович Нестеров; Сергей Александрович Козюхин (Physics of Complex Systems)
Бинарные халькогенидные соединения нашли широкий спектр применения благодаря возможности быстрого и обратимого фазового перехода, перестраиваемой ширины запрещенной зоны, высокой подвижности носителей заряда. Рассматриваются результаты термической и лазерной кристаллизации тонких пленок InSe, сформированных методом вакуумно-термического испарения синтезированного материала и покрытых защитным слоем SiO2. Аморфное состояние тонких пленок InSe было подтверждено спектроскопией комбинационного рассеяния света. Процессы термической и лазерной кристаллизации были изучены путем измерения электрического сопротивления и с применением оптической микроскопии соответственно. Были получены диапазоны температур и мощностей лазерного воздействия, необходимые для кристаллизации тонкой пленки InSe. Результаты спектроскопии комбинационного рассеяния показали, что степень кристалличности тонких пленок InSe можно подстраивать, варьируя мощность лазерного излучения.