Екзоемісійна спектроскопія дефектів опромінених поверхонь кристалів CsI - P. V. Galiy; T. N. Nenchuk; O. Ya. Tuziak; I. R. Jarovets (Хімія, фізика та технологія поверхні)
Для кристалів номінально чистого та легованого йодиду цезію досліджено взаємозв’язок радіаційного накопичення дефектів поверхні та приповерхневого шару кристалу, їх «агрегатного» стану з явищем термостимульованої екзоелектронної емісії. Визначено типи радіаційних дефектів – електронних і діркових центрів забарвлення, які відіграють визначальну роль у термостимульованій екзолектронній емісії кристала СsI у широкому діапазоні потужностей й поглинутих доз електронного і ультрафіолетового опромінення. Показано, що метод екзоелектронної емісійної спектроскопії радіаційно-збуджених кристалів CsI придатний для реєстрації початкових стадій дефектоутворення на поверхні, присутності домішок у цих кристалах, а також для порівняння радіаційної стійкості кристалів. Оцінені критичні потужності і поглинуті дози опромінення при кімнатних температурах, що приводять до деструкції поверхні, накопичення дефектів у кристалах та радіаційного руйнування їх поверхонь з можливим виділенням фази однієї з їх компонент.