Трековое формирование в структурах SiO2/Si и Si3N4/Si - A.Ye. Alzhanova; A.K. Dauletbekova (Қарағанды университетінің хабаршысы. Физика сериясы)
В рамках модели термического пика рассчитаны параметры трекообразования для структур SiO2/Si и Si3N4/Si при облучении быстрыми ионами. Авторами подчеркнуто, что важным и новым результатом является оценка возможности использования рассчитанных ионов для создания нанопористых слоев в диоксиде кремния и нитриде кремния. Методом химического травления были получены наноразмерные поры в структурах SiO2/Si. Исследована морфология поверхности образцов SiO2/Si и параметры сформированных нанопор. Таким образом, отработана методика вытравливания ионных треков методом химического травления.