فیلتر فابری - پرو مبتنی بر بلور فوتونی نیمه هادی - ربابه طالب زاده (اپتوالکترونیک)
در این مقاله بلورهای فوتونی نیمه هادی آلائیده با ساختار Air(AB)N Air تحت یک میدان مغناطیسی خارجی مطالعه شده است، به‌طوری که لایه A دی‌الکتریک (شیشه کوارتز)، لایه B نیمه هادی آلائیده (گالیم آرسناید نوع n) و N تعداد تناوب لایه‌ها است. نشان دادیم که تحت میدان خارجی، نیمه هادی مانند لایه تک منفی و ساختار مانند فیلتر چندکاناله عمل می‌کند. طوری که در طیف تراگسیلی این فیلتر N-1 تا پیک تشدیدی تیز شانه-مانند به ازای N>1 ظاهر می‌شود. همچنین نتایج عددی نشان داد که فرکانس‌های تشدیدی با تغییر میدان مغناطیسی اعمالی و چگالی الکترونی می‌توانند قابل تنظیم شوند به این صورت که افزایش میدان مغناطیسی و چگالی الکترونی به ترتیب منجر به جابه‌جایی قرمز و آبی مدهای تشدیدی می‌شوند. فیلتر فابری پروی پیشنهادی در مقایسه با فیلترهای معمول چندکاناله مبتنی بر بلورهای فوتونی یک ساختار چند لایه‌ای بدون نقص است.